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高壓IGBT芯片

首件國產(chǎn)高壓IGBT芯片通過鑒定(2013-09-16)

我國自主研發(fā)的高壓大功率3300V/50A IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）芯片及由此芯片封裝的大功率1200A/3300V IGBT模塊，今天通過專家鑒定。中國自此有了完全自主的IGBT“中國芯”。…[詳情]

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