国产一级片电影网|九九热这里只有精|亚洲国产精品狼友|伊人精品久久精品|青草视频在线看看|婷婷中文字幕婷婷|精品一区二区强奸

您好，歡迎您光臨全球化工設(shè)備網(wǎng)，
當前位置：全球化工設(shè)備網(wǎng) > 產(chǎn)品大全 > 儀器儀表 > 分析儀器 > PMST2210半導體靜態(tài)參數(shù)測試儀

產(chǎn)地：武漢

規(guī)格：PMST2210

公司所在地：湖北武漢

電話：18140663476

1993323884  
詳細信息

PMST2210半導體靜態(tài)參數(shù)測試儀的簡單介紹

蕞大支持30V@10A脈沖電流輸出與測試，可測試低至pA級漏電流；集電極-發(fā)射極，蕞大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能；蕞高支持3500V

PMST2210半導體靜態(tài)參數(shù)測試儀的詳細信息

PMST2210半導體靜態(tài)參數(shù)測試儀認準武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表，普賽斯以自主研發(fā)為導向，深耕半導體測試領(lǐng)域，在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗，先后推出了直流源表，脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測單元等測試設(shè)備，廣泛應(yīng)用于廣泛應(yīng)用于半導體測試行業(yè)； 本功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)可以完成多項參數(shù)測試，如ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF等。



功率器件靜態(tài)測試系統(tǒng)簡介


普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、 BJT、IGBT，以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級導通電阻精確測量、nA級漏電流測量能力等特點。支持高壓模式下功率器件結(jié)電容測試，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。
普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，配置有多種測量單元模塊，模塊化的設(shè)計測試方法靈活，能夠極大方便用戶添加或升級測量模塊，適應(yīng)測量功率器件不斷變化的需求。



系統(tǒng)組成

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，主要包括測試主機、測試夾具、工控機、上位機軟件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測試主機，內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測量單元模塊。結(jié)合專用上位機測試軟件，可根據(jù)測試項目需要，設(shè)置不同的電壓、電流等參數(shù)，以滿足不同測試需求。測試數(shù)據(jù)可保存與導出，并可生成I-V以及C-V特性曲線。此外，測試主機可與探針臺搭配使用，實現(xiàn)晶圓級芯片測試；也可與熱流儀、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測試需求。

測試主機內(nèi)部采用的電壓、電流測量單元，均采用多量程設(shè)計，測試精度為0.1%。其中，柵極-發(fā)射極，蕞30V@10A脈沖電流輸出與測試，可測試低至pA級漏電流；集電極-發(fā)射極，蕞大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能；蕞高支持3500V電壓輸出，蕞高擴展到12kV，且自帶漏電流測量功能。系統(tǒng)標配C-V測試功能，支持Ciss/Coss/Crss參數(shù)及曲線測試，頻率默認1MHz，可擴展至10MHz


系統(tǒng)特點

高電壓：支持高達3.5KV高電壓測試（蕞大擴展至12kV）；
大電流：支持高達6KA大電流測試（多模塊并聯(lián)）；
高精度：支持uΩ級導通電阻、nA級漏電流測試；
模塊化設(shè)計：內(nèi)部采用模塊化配置，可添加或升級測量單元；
測試效率高：可自動切換、一鍵測試；
溫度范圍廣：支持常溫、高溫測試；
兼容多種封裝：根據(jù)測試需求可定制夾具；

系統(tǒng)參數(shù)

項目

參數(shù)

集電極-發(fā)射極

蕞大電壓

3500V(可拓展至12KV)

最大電流

1000A(可拓展至6000A)

準確度

±0.1%

大電壓上升沿

典型值5ms

大電流上升沿

典型值15μs

大電流脈寬

50μs~500μs

漏電流測試量程

1nA~100mA

柵極-發(fā)射極

蕞大電壓

300V

蕞大電流

1A(直流)/10A(脈沖)

準確度

±0.05%

最小電壓分辨率

30μV

最小電流分辨率

10pA

電容測試

典型精度

±0.5%

頻率范圍

10Hz~1MHz

電容值范圍

0.01pF~9.9999F

溫控

范圍

25℃~200℃

準確度

±2℃


PMST2210半導體靜態(tài)參數(shù)測試儀測試項目

二極管：反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、 正向電流IF、電容值Cd、I-V曲線、C-V曲線

三極管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、 增益hFE，輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線

Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/、VGE(th)、IGSS/IGES柵極內(nèi)阻Rg、輸入電容Ciss/Cies、輸出電容、Coss/Coes、反向傳輸電容Crss/Cres、跨導gfs、輸出特性曲線、 轉(zhuǎn)移特性曲線、C-V特性曲線

光耦(四端口以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、輸入電容CT、輸出電容CCE、 電流傳輸比CTR、隔離電容CIO


以上是PMST2210半導體靜態(tài)參數(shù)測試儀的詳細信息，如果您對PMST2210半導體靜態(tài)參數(shù)測試儀的價格、廠家、型號、圖片有任何疑問，請聯(lián)系我們獲取PMST2210半導體靜態(tài)參數(shù)測試儀的最新信息
我要詢價