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產(chǎn)地：武漢

規(guī)格：PMST2210

公司所在地：湖北武漢

電話：18140663476

1993323884  
詳細(xì)信息

IGBT/SiC MOS大功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測試系統(tǒng)的簡單介紹

集多種測量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測量不同封裝類型功率器件靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級導(dǎo)通電阻、nA級漏電

IGBT/SiC MOS大功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測試系統(tǒng)的詳細(xì)信息

IGBT/SiC MOS大功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測試系統(tǒng)特點

高電壓：支持高達(dá)3.5KV高電壓測試（蕞大擴展至12kV）；
大電流：支持高達(dá)6KA大電流測試（多模塊并聯(lián)）；
高精度：支持uΩ級導(dǎo)通電阻、nA級漏電流測試；
模塊化設(shè)計：內(nèi)部采用模塊化配置，可添加或升級測量單元；
測試效率高：可自動切換、一鍵測試；
溫度范圍廣：支持常溫、高溫測試；
兼容多種封裝：根據(jù)測試需求可定制夾具；

系統(tǒng)參數(shù)

項目

參數(shù)

集電極-發(fā)射極

蕞大電壓

3500V(可拓展至12KV)

最大電流

1000A(可拓展至6000A)

準(zhǔn)確度

±0.1%

大電壓上升沿

典型值5ms

大電流上升沿

典型值15μs

大電流脈寬

50μs~500μs

漏電流測試量程

1nA~100mA

柵極-發(fā)射極

蕞大電壓

300V

蕞大電流

1A(直流)/10A(脈沖)

準(zhǔn)確度

±0.05%

最小電壓分辨率

30μV

最小電流分辨率

10pA

電容測試

典型精度

±0.5%

頻率范圍

10Hz~1MHz

電容值范圍

0.01pF~9.9999F

溫控

范圍

25℃~200℃

準(zhǔn)確度

±2℃


測試項目

二極管：反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、 正向電流IF、電容值Cd、I-V曲線、C-V曲線

三極管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、 增益hFE，輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線

Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/、VGE(th)、IGSS/IGES柵極內(nèi)阻Rg、輸入電容Ciss/Cies、輸出電容、Coss/Coes、反向傳輸電容Crss/Cres、跨導(dǎo)gfs、輸出特性曲線、 轉(zhuǎn)移特性曲線、C-V特性曲線

光耦(四端口以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、輸入電容CT、輸出電容CCE、 電流傳輸比CTR、隔離電容CIO


測試夾具

針對市面上不同封裝類型的硅基功率半導(dǎo)體，IGBT、SiC、MOS、GaN等產(chǎn)品，普賽斯提供整套測試夾具解決方案，可用于T0單管，半橋模組等產(chǎn)品的測試。


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