近日，中國科學院微電子研究所科研成果——銦鎵砷（InGaAs）MOSFET射頻開關芯片被國際半導體雜志Semiconductor Today 進行了專題報道。

　　高遷移率InGaAs MOSFET是在InGaAs HEMT器件的基礎上引入高K介質(zhì)金屬柵技術發(fā)展起來的新一代半導體器件，被國際學術界和半導體產(chǎn)業(yè)界認為是延展摩爾定律至5納米節(jié)點的主要技術選擇。微電子所高頻高壓器件與集成研發(fā)中心研究員劉洪剛課題組長期致力于InGaAs MOSFET器件及其應用研究，在國家科技重大專項、“973”計劃、國家自然科學基金等多項國家級課題的支持下，先后在量子阱溝道設計、高K介質(zhì)與界面態(tài)控制、關鍵工藝與硅基異質(zhì)集成、器件模型與電路模擬等方面取得重要進展，相關成果已成功應用于面向4G/5G移動通信的射頻開關芯片的研究。課題組研制的InGaAs MOSFET射頻開關芯片，在移動通信頻段表現(xiàn)出優(yōu)越的射頻開關特性，在0.1-3GHz無線通信頻段內(nèi)插入損耗為0.27-0.49dB，隔離度達到35-68dB，比傳統(tǒng)InGaAs HEMT射頻開關具有更高的射頻輸出功率和功率附件效率。該特性使InGaAs MOSFET技術在5G智能手機與高速WiFi中具有廣闊的應用前景。