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高能同步輻射光源驗(yàn)證裝置超導(dǎo)高頻腔測(cè)試達(dá)標(biāo)

作者: 2017年03月20日 來源: 瀏覽量:
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3月15日,中國(guó)科學(xué)院高能物理研究所組織專家對(duì)166.6MHz超導(dǎo)高頻腔低溫垂直測(cè)試進(jìn)行了現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試,該超導(dǎo)腔是高能同步輻射光源驗(yàn)證裝置(HEPS-TF)中的核心研制內(nèi)容之一。測(cè)試專家組由來自于清華大學(xué)、北京大學(xué)和中科院

  3月15日,中國(guó)科學(xué)院高能物理研究所組織專家對(duì)166.6MHz超導(dǎo)高頻腔低溫垂直測(cè)試進(jìn)行了現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試,該超導(dǎo)腔是高能同步輻射光源驗(yàn)證裝置(HEPS-TF)中的核心研制內(nèi)容之一。測(cè)試專家組由來自于清華大學(xué)、北京大學(xué)和中科院高能所的專家組成,專家組聽取了課題組的介紹,對(duì)166.6MHz超導(dǎo)高頻腔進(jìn)行了現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試。

  測(cè)試結(jié)果表明,分別在4.2K和2K溫度下,166.6MHz beta=1的超導(dǎo)高頻腔垂直測(cè)試已經(jīng)達(dá)到了設(shè)計(jì)目標(biāo),并具有較高的Q0值。在4.2K溫度下腔壓達(dá)到1.5MV,Q0值為2.4x109(設(shè)計(jì)目標(biāo):1.5MV, Q0>5x108@4.2K)。4.2K下的低場(chǎng)表面電阻為10 nΩ,表面殘余電阻僅為2.3nΩ。

  166.6MHz超導(dǎo)腔是國(guó)際上首個(gè)低頻(<200MHz)強(qiáng)流(流強(qiáng)>200mA)高功率(>150kW)beta=1的超導(dǎo)腔,4K和2K的測(cè)試結(jié)果表明指標(biāo)均達(dá)到了世界領(lǐng)先水平,是HEPS-TF項(xiàng)目的重要里程碑。該腔由北京高能銳新科技有限公司制造,高能所加速器中心高頻組負(fù)責(zé)完成超導(dǎo)腔的后處理工作。

166.6MHz beta=1的超導(dǎo)高頻腔垂直測(cè)試達(dá)到設(shè)計(jì)目標(biāo) 

166.6MHz超導(dǎo)高頻腔 



 

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