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2000V/2000A雙脈沖測(cè)試功率器件動(dòng)態(tài)系統(tǒng) 2000V/2000A雙脈沖測(cè)試功率器件動(dòng)態(tài)系統(tǒng) 是一款專用于MOSFET、IGBT、SiCMOS等器件的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試,能夠安全便捷的測(cè)試功率器件的開關(guān)延時(shí)和損耗,評(píng)估器件的安全工作區(qū),對(duì)器件和驅(qū)動(dòng)電路
功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備 功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備 是一款專用于MOSFET、IGBT、SiCMOS等器件的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試,能夠安全便捷的測(cè)試功率器件的開關(guān)延時(shí)和損耗,評(píng)估器件的安全工作區(qū),對(duì)器件和驅(qū)動(dòng)電路的短路保護(hù)特性進(jìn)行驗(yàn)證,測(cè)量功率組件的雜散電感
PMST2210半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀 PMST2210半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀 蕞大支持30V@10A脈沖電流輸出與測(cè)試,可測(cè)試低至pA級(jí)漏電流;集電極-發(fā)射極,蕞大支持6000A高速脈沖電流,典型上升時(shí)間為15μs,且具備電壓高速同步采樣功能;蕞高支持3500V
IGBT/SiC MOS大功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試系統(tǒng) IGBT/SiC MOS大功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試系統(tǒng) 集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻、nA級(jí)漏電
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